专利名称：一种晶硅电池双层膜钝化减反结构专利类型：实用新型专利
发明人：秦广飞,金保华,燕飞,汪文渊,王鹏,张建亮申请号：CN201320886856.4申请日：20131231公开号：CN203690311U公开日：20140702
摘要：本实用新型涉及晶硅太阳能电池钝化减反技术领域，特别涉及一种晶硅电池双层膜钝化减反结构。该晶硅电池双层钝化减反结构，其特征是：晶硅电池片表面镀有两层氮化硅薄膜，晶硅电池上方的下层氮化硅薄膜及下层氮化硅薄膜上方的上层氮化硅薄膜，所述下层氮化硅薄膜的厚度为d，折射率为n，上层氮化硅薄膜的厚度d，折射率为n，且d>d，n
申请人：秦广飞
地址：274300 山东省菏泽市单县经济开发区君子路北段
国籍：CN
代理机构：济南泉城专利商标事务所
代理人：张贵宾
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