专利名称：MOSFET电子开关驱动电路专利类型：发明专利发明人：陈鹏,黄学军,于辉申请号：CN201610763883.0申请日：20160830公开号：CN106209044A公开日：20161207
摘要：本发明公开一种MOSFET电子开关驱动电路，包括：方波发生器、低电平边缘检测单元、高电平边缘检测单元、正脉冲电平转换单元、负脉冲电平转换单元、正脉冲驱动支路、负脉冲驱动支路；用于产生触发方波信号的方波发生器连接到低电平边缘检测单元和高电平边缘检测单元各自的输入端；所述正脉冲驱动支路、负脉冲驱动支路均由依次串联的驱动小信号单元、功率管单元和主电路取能单元组成，所述耦合变压器初级侧和次级侧分别具有一个初级线圈和至少2个次级线圈，一稳压二极管与串联的第一二极管、滤波模块并联。本发明可实现驱动脉冲的任意宽度，无需额外供电电源，既大大减少了电子开关驱动电路体积，又加速了电子开关上升前沿，电子开关驱动电路所需功率大幅减小。
申请人：苏州泰思特电子科技有限公司
地址：215011 江苏省苏州市高新区金山路198号安达科技园2号楼
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
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