专利名称：蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体基板产品的制
造方法
专利类型：发明专利发明人：水谷笃史,上村哲也申请号：CN201580010484.0申请日：20150219公开号：CN106062934A公开日：20161026
摘要：本发明提供一种蚀刻液。本发明的蚀刻液用于半导体工艺，含有磺酸化合物、卤素离子、硝酸或硝酸根离子、有机阳离子及水。
申请人：富士胶片株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：蒋亭
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