专利名称：进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积
方法
专利类型：发明专利发明人：赵星,赵金柱,李春龙申请号：CN200710094540.0申请日：20071213公开号：CN101457350A公开日：20090617
摘要：本发明公开了一种进气装置，该进气装置可以用于向炉管内通入气体，所述进气装置包括主管，至少两个与外部气路相连的分管，以及连接主管与各所述分管的连接部分，其中，所述主管由炉管之内延伸至炉管之外，所述分管及连接部分均位于炉管之外。本发明还提供了应用该进气装置的低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法。采用本发明的进气装置、低压化学气相沉积设备及化学气相沉积方法后，可以减少薄膜生长的颗粒污染数，提高薄膜的形成质量，减少炉管所需的湿法清洗次数，提高设备的利用率及生产的效率。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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