请问单晶n型掺杂怎么掺杂？
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发布时间：2022-04-22 10:00
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热心网友
时间：2023-07-06 18:07
单晶硅是用多晶硅为原料生产的，生产时需要掺入一定量的硼、磷、砷、锑等杂质。多
晶硅是超高纯的单质硅，纯度在6N 以上，也就是说，99．9999％以上都是硅，其杂质还不
足百万分之一。为了获得多晶硅，人们采取了各种手段，消耗大量电能，花费大量资金，利
用化学和物理的方法对硅进行反复的提纯，最后，好不容易获得了多晶硅。
问题是，这好不容易获得的多晶硅，为何在生产单晶硅时非要掺杂呢？
生产单晶硅时，掺杂的目的是为了使单晶硅达到特定的电学性质，从而使生产出的单晶
硅成为P型单晶硅或 N型单晶硅。
单晶硅是Ⅴ族元素半导体，要得到P型单晶硅，一般需要掺入Ⅲ族元素杂质，如 B、
Al、Ga和In；要得到 N型单晶硅，一般需要掺入Ⅴ族元素杂质，如P、As和Sb。但在实
际应用时，还要看杂质在硅液中的分凝系数、蒸发系数以及所需的掺杂量。对于P型掺杂，
由于 Al、Ga和In在硅液中的分凝系数很小，难以得
热心网友
时间：2023-07-06 18:07
1.一种由硅组成的单晶，所述单晶的晶向为<100>，所述单晶掺杂有n型掺杂剂，所述单晶包括起始锥体、圆柱形区段和端部锥体，其中，在所述起始锥体的中间区段中的晶体角不小于20°且不大于30°，所述中间区段的长度不小于所述起始锥体的长度的50％，棱边棱面从所述单晶的边缘延伸到所述单晶中，其中，在所述单晶的起始锥体中的和在所述单晶的圆柱形区段中的所述棱边棱面的长度分别不超过700μm。 5.一种由单晶硅组成的半导体晶片，所述半导体晶片从根据权利要求1至4中任一项所述的单晶的圆柱形区段分离出。 6.一种用于制造单晶的方法，所述单晶由硅组成且晶向为<100>，所述方法包括， 给熔体掺杂n型掺杂剂； 根据CZ方法来提拉所述单晶的起始锥体、圆柱形区段和端部锥体； 提拉所述起始锥体，在所述起始锥体的中间区段中晶体角不小于20°且不大于30°，所述中间区段的长度不小于所述起始锥体的长度的50％，其中，借助角度调节将所述晶体角的波动*在不超过0.01°/s； 以不超过极限提拉速度的75％的提拉速度来提拉所述单晶的圆柱形区段，在超过所述极限提拉速度时，所述单晶的变形阻止继续所述提拉； 并且主动地冷却所述单晶。
