MOS管70SL500A参数
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发布时间：2022-04-22 06:32
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时间：2023-11-28 08:17
1 极限参数:
ID :最大漏源电流.是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.
IDM :最大脉冲漏源电流.体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系，此参数会随结温度的上升而有所减额.
PD :最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）
VGS :最大栅源电压.，一般为：-20V~+20V
Tj :最大工作结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量. （此参数靠不住）
TSTG :存储温度范围.
2 静态参数
V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS . 它具有正温度特性.故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑. 加负压更好。
△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃.
RDS(on) :在特定的 VGS (一般为 10V )、结温及漏极电流的条件下， MOSFET
导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率.此参数一般会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）.
故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算.
VGS(th) :开启电压(阀值电压).当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道.应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压.此参数一般会随结温度的上升而有所降低.
IDSS :饱和漏源电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流.一般在微安级.
IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大，IGSS 一般在纳安级.
、3 动态参数
gfs :跨导.是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度. gfs 与 VGS 的转移关系图如下图所示.
